Samsung успешнее конкурентов прошла квалификацию чипов HBM4E у компании Nvidia

Компания Samsung смогла успешно пройти квалификационные испытания новейших двенадцатислойных чипов памяти типа HBM4E в лабораториях корпорации Nvidia. Этот важный шаг открывает южнокорейскому технологическому гиганту прямой путь к масштабным поставкам своей продукции для главного игрока на рынке искусственного интеллекта. Ранее производителю приходилось догонять конкурентов в этом сегменте, однако теперь ситуация может серьезно измениться в пользу южнокорейского бренда.

Согласно техническим данным, представленным в отчетах профильных ресурсов, новые модули памяти обладают внушительным объемом в сорок восемь гигабайт на каждый отдельный слой стека. Скорость передачи данных достигает четырнадцати гигабит в секунду на один контакт с возможностью дальнейшего разгона до шестнадцати гигабит в секунду. В результате общая пропускная способность готового решения составляет порядка трех и шести десятых терабайта в секунду, что более чем на двадцать процентов превосходит показатели предыдущего поколения HBM4.

Особенностью нового поколения памяти от Samsung стало сочетание передовых чипов DRAM шестого поколения, относящихся к десятинанometroвому классу, со специальным логическим кристаллом. Этот кристалл выпускается силами подразделения Samsung Foundry с использованием передового четырехнанометрового технологического процесса. Именно по этому техпроцессу компания производит свои фирменные мобильные процессоры серии Exynos, что подчеркивает высокий уровень освоения технологии.

Для рынка высокопроизводительных вычислительных систем и графических ускорителей появление нового крупного поставщика памяти крайне важно. Спрос на чипы HBM продолжает стремительно расти на фоне бума систем искусственного интеллекта и дата-центров, где стандартная оперативная память не справляется с нагрузками. Успех Samsung позволит диверсифицировать цепочки поставок и снизить риски дефицита компонентов для будущих поколений мощных видеокарт и специализированных процессоров.