Цены на память HBM для ИИ-ускорителей вырастут более чем в два раза в 2025 году

Высокоскоростная память типа HBM, которая служит важнейшим компонентом для ускорителей искусственного интеллекта, в следующем году резко подорожает. По оценкам аналитиков, средняя стоимость таких микросхем вырастет сразу на 121 % по сравнению с текущим уровнем. Основными причинами столь резкого скачка станут сохраняющийся дефицит поставок и активный переход индустрии на новые, более дорогие стандарты памяти. В качестве примера приводится 12-ярусный чип HBM4 объемом 36 Гбайт: если сейчас его цена составляет около 600 долларов, то в следующем году она поднимется до 1300 долларов.

Ситуация на рынке складывается в пользу производителей, которых в этом сегменте всего три — Micron Technology, SK hynix и Samsung Electronics. Компания Micron уже объявила, что практически полностью распределила свои квоты на поставки HBM на весь следующий год по гораздо более высоким ценам. Это дает оставшимся двум южнокорейским гигантам, SK hynix и Samsung, значительное преимущество при переговорах с клиентами, позволяя им диктовать свои условия и максимизировать прибыль. При этом спрос на память нового поколения настолько велик, что производителям приходится балансировать между выпуском HBM и классической серверной оперативной памяти DDR.

Конкуренция между лидерами рынка обостряется. Компания Samsung смогла заметно укрепить свои позиции на волне экспансии HBM4. Во втором квартале её доля рынка в стоимостном выражении увеличилась с 21 % до 33 %, в то время как доля лидирующей SK hynix сократилась с 58 % до 50 %, а Micron — с 21 % до 18 %. Несмотря на снижение доли, SK hynix удерживает лидерство и поставляет HBM4 в массовых объемах еще со второго квартала, а сейчас активно рассылает клиентам образцы еще более совершенных 12-ярусных чипов HBM4E. Samsung рассчитывает серьезно нарастить выручку за счет поставок нового типа памяти, однако для этого компании необходимо успешно пройти сертификацию у ключевых заказчиков.

Производство памяти HBM сопряжено с серьезными технологическими трудностями, что также подстегивает рост цен. Изготовление таких чипов требует огромного количества кремниевых пластин, ведь в одном стеке вертикально объединяется от 12 до 16 кристаллов. По оценкам Samsung, если в текущем году под выпуск HBM было задействовано около 20 % всех мировых мощностей по производству DRAM, то в следующем году этот показатель вырастет почти до 30 %. Сложность и дороговизна производства HBM4 и HBM4E заставляют вендоров тщательно рассчитывать рентабельность, поскольку быстро расширить фабрики в условиях жесткого дефицита оборудования крайне непросто.