Китайский производитель CXMT сталкивается с низким выходом годных чипов HBM3

Память типа HBM (High‑Bandwidth Memory) отличается многослойной архитектурой: несколько DRAM‑модулей укладываются друг на друга и соединяются сквозными кремниевыми переходами (TSV), обеспечивая огромную пропускную способность и минимальные задержки. Такая конструкция требует предельно чистых поверхностей и точного выравнивания, иначе соединения оказываются ненадёжными.

По данным отраслевых источников, китайская компания CXMT столкнулась с серьёзными проблемами при изготовлении 8‑слойных чипов HBM3. Выход годных изделий составляет лишь 25‑30 %, а после дополнительного контроля качество падает до примерно 70 % от этой доли, то есть менее 20 % от общего количества. Для сравнения, ведущие производители стремятся к уровню 80 % годных чипов, что делает их готовыми к массовому выпуску.

Большинство лидеров рынка используют гибридное соединение, отказавшись от традиционных контактных выступов над каждым DRAM‑слоем и заменив их специальным заполняющим материалом. Это устраняет необходимость в микроскопических выступах, но одновременно усложняет процесс: требуется идеальная гладкость и отсутствие даже микроскопических загрязнений, иначе TSV могут выйти из строя.

CXMT пытается компенсировать технологическую сложность, сокращая количество сквозных переходов. В HBM2 от Samsung их более 5000, в HBM3 от SK hynix — более 8000, тогда как CXMT использует около 3000 TSV. Даже при таком упрощении компания сталкивается с низким выходом: SK hynix, применяющая автономный процесс TSV, в 2024 году добивалась лишь 40‑60 % годных чипов.

Низкая эффективность производства ограничивает возможности китайского производителя выйти на глобальный рынок с конкурентоспособной HBM‑памятью. Это замедляет усилия Китая по укреплению независимости в полупроводниковой отрасли и может оттолкнуть потенциальных клиентов, ожидающих более надёжные поставки. Улучшение чистоты производственных линий и дальнейшее развитие гибридных технологий остаются ключевыми задачами для повышения выхода годных чипов.